非易失性随机访问存储器 (NVRAM) 是在断电时可保留其信息的固态存储器技术。通常，NVRAM 不是指硬盘驱动器等机电存储设备。现今，最盛行的 NVRAM 形式是闪速存储器。

在过去，NVRAM 设备在速度和性能方面落后于易失性存储器。尽管这个差距已由闪速存储器大幅缩小，但仍有大量改进空间。最大的顾虑是闪速存储器（几十微秒）相比于 DRAM（几十纳秒）和 SRAM（几纳秒）会相对较慢的写入性能。另外，浮闸在变得不可靠之前还可耐受大约几次写入。该现象称为耐写度，而且视闪速存储器技术而定，可在几千个循环到超过一百万个循环之间变化。

除闪速存储器外，还有其他 NVRAM 技术，但目前它们在容量和成本方面落后。铁电 RAM (FeRAM) 使用电场来定向薄膜的偶极矩。磁性 RAM (MRAM) 通过控制在进行读取时影响电阻的电子自旋来储存信息。相变范围 (PRAM) 使用与可记录 CD 和 DVD 相同的技术，但 PRAM 读取还可感应电阻变化。