TFT 或薄膜晶体管是一种特殊类型的场效应晶体管，它变更了 FET 器件的正常设计。制造 TFT 时，在一个绝缘体上沉积一层通道材料，大多数情况下为玻璃材质。沉积的材料通常为硅，一般是非 TFT FET 器件的基底结构。这层薄薄的硅沉积层上是晶体管的其余部分，其中包括电介质化合物、源极和漏极触点。

对于 TFT 显示器模块，每个像素都有一个相关联的晶体管。由于 TFT 晶体管的整体尺寸相比它所控制的像素的整体尺寸是非常小的，它只会挡住穿过显示器各个像素的非常少量的背光。实现这一点的唯一方法是，清除所有非晶体管区域（显示器的大部分面积）的基底硅薄膜，使光通过无障碍路径透过玻璃晶体管基极。如果基底是实际的硅，就不会允许光通过，并会导致显示异常。