绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块由一个或多个 IGBT 设备组成。IGBT 因其在电力电子领域的有效性和高切换频率而倍受重视。这些模块通常可被设计为处理数百安培的电流以及超过 1000V 的电压，具有极高的功率容量。实现如此高的功率需要多个晶体管，而模块则是由各种电路组成。

IGBT 设备是两种主要晶体管技术 —— 场效应晶体管和双极结型晶体管的统一。它们带有 FET 中采用的绝缘栅，但剩余的晶体管结构更类似于双极型晶体管，带有用于让主电流穿过设备的发射极和集电极。这可以让它展现出两种技术的优势，即 BJT 那样的高电流能力以及高输入阻抗和其他正栅极特性。

由于它们被用作开关设备，因此在使用脉冲宽度调制的放大器和去除高频的滤波器中很常见。这包括高功率立体声放大器和一般电源。