JFETs

结栅场效应管在栅极和漏极与源极通道之间利用类似于二极管的结构。它是一种简单的场效应管，掺有 N 型或 P 型掺杂剂。在晶体管的一侧，使用反掺杂剂来形成 PN 结。这既可作为控制穿过晶体管的电流的机制，也能在栅极电压正确偏置的情况下为设备提供高输入阻抗。与二极管类似，在 JFETs 上施加错误的偏压会导致不需要的浪涌电流穿过栅极。

当源极与栅极具有相同的电压时，电流可以顺畅地穿过晶体管，直至达到半导体通道的容差。对于 N 型晶体管来说，可以向栅极施加负的栅极源极间电压，这将开始固定电流，直至在整个晶体管通道间形成耗尽层从而达到临界点。这能有效地关断从漏极到源极之间的电流，被称为 VGS 的夹断值，不同晶体管之间的这个值也大不相同。P 型 JFETs 设备具有相同的响应，但却是在正的栅极源极间电压作用下，这会在这些设备的相反掺杂通道中形成类似的耗尽层。