产品技术规范
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Dual Drain
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
30
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
2.5
Courant de drain continu maximal (A)
40
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
100
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
9.4@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
7.1@4.5V|16@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
16
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
1030@15V
Dissipation de puissance maximale (mW)
52000
Temps de descente type (ns)
7.5
Temps de montée type (ns)
3.5
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
10.9
Délai type de mise en marche (ns)
2
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
4.5
Largeur du paquet
9.2
Longueur du paquet
9.9
Carte électronique changée
2
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
D2PAK
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing