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Rectifiers

MBRP3200

Diode Schottky 200V 3A 8-Pin Power QFN EP T/R

Good-Ark Semiconductor
数据表 

产品技术规范
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.10.00.80
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    Schottky Diode
  • Tension inverse CC maximale (V)
    200
  • Configuration
    Single Dual Anode
  • Tension inverse répétitive de crête (V)
    200
  • Courant avant continu maximal (A)
    3
  • Courant de surcharge de crête non répétitif (A)
    70
  • Tension directe de crête (V)
    0.92
  • Courant inverse de crête (uA)
    200
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1
  • Largeur du paquet
    5.8
  • Longueur du paquet
    4.9
  • Carte électronique changée
    8
  • Nom de lemballage standard
    QFN
  • Conditionnement du fournisseur
    Power QFN EP
  • Décompte de broches
    8

文档和资源

数据表
设计资源