MOSFET

SI5435BDC-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin Chip FET T/R

Vishay

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Hex Drain

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  P

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  30

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Courant de drain continu maximal (A)

  4.3

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  45@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  16@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  16

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  2500

• Temps de descente type (ns)

  20

• Temps de montée type (ns)

  12

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  32

• Délai type de mise en marche (ns)

  8

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1.1(Max)

• Largeur du paquet

  1.65

• Longueur du paquet

  3.05

• Carte électronique changée

  8

• Conditionnement du fournisseur

  Chip FET

• Décompte de broches

  8