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RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
150
Max. Gate-Source-Spannung (V)
ยฑ20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
180
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
240@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
240
Typische Eingangskapazitรคt bei Vds (pF)
7000@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
830000
Typische Abfallzeit (ns)
36
Typische Anstiegszeit (ns)
32
Typische Abschaltverzรถgerungszeit (ns)
150
Typische Einschaltverzรถgerungszeit (ns)
30
Mindestbetriebstemperatur (ยฐC)
-55
Max. Betriebstemperatur (ยฐC)
175
Befestigung
Through Hole
Verpackungshรถhe
26.16(Max)
Verpackungsbreite
5.13(Max)
Verpackungslรคnge
19.96(Max)
Leiterplatte geรคndert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-264AA
Stiftanzahl
3
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