CCS020M12CM2

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  SiC

• Configuration

  Hex

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  6

• Tension drain-source maximale (V)

  1200

• Tension minimale de source barrière (V)

  25

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  2.2(Typ)

• Courant de drain continu maximal (A)

  34

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  250

• IDSS maximal (uA)

  100

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  98@20V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  61.5@20V

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  900@800V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  167000

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  22.4

• Délai type de mise en marche (ns)

  10

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Box

• Installation

  Screw

• Hauteur du paquet

  17 mm

• Largeur du paquet

  45 mm

• Longueur du paquet

  107.5 mm

• Carte électronique changée

  28

• Conditionnement du fournisseur

  Six-Pack

• Décompte de broches

  28