Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
SiC
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
1200
Max. Gate-Source-Spannung (V)
25
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
11
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
250
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
100
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
370@20V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
19@20V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
7
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
6
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
48
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
267@1000V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
4@1000V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
31
Max. Leistungsaufnahme (mW)
69400
Typische Abfallzeit (ns)
16
Typische Anstiegszeit (ns)
19
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
10
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
320@20V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
20
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
4.3
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
8.5
Typische Sperrerholungszeit (ns)
25
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3.1
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
25
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
20.9
Verpackungsbreite
5.02
Verpackungslänge
15.94
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-247
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole