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Amplificatori OP

AD648JRZ

Op Amp Dual Low Power Amplifier ±18V 8-Pin SOIC N Tube

Analog Devices
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    NRND
  • HTS
    8542.33.00.01
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    Low Power Amplifier
  • Herstellerart
    Low Power Amplifier
  • Anzahl der Kanäle pro Chip
    2
  • Max. Eingangs-Offsetspannung (mV)
    2@±15V
  • Mindest-Doppelversorgungsspannung (V)
    ±4.5
  • Typische Doppelversorgungsspannung (V)
    ±15
  • Max. Doppelversorgungsspannung (V)
    ±18
  • Max. Eingangs-Offsetstrom (uA)
    0.00001@±15V
  • Max. Eingangs-Bias-Strom (uA)
    0.00002@±15V
  • Spannungsversorgungsart
    Dual
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    500
  • Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us)
    1.8@±15V
  • Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz)
    80@±15V
  • Typischer Spannungsgewinn (dB)
    120
  • Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz)
    0.0018@±15V
  • Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
    70
  • Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
    70 to 71
  • Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz)
    1
  • Typische Einschwingzeit (ns)
    8000
  • Abschaltunterstützung
    No
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    0
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    70
  • Temperaturbereich Lieferant
    Commercial
  • Verpackung
    Tube
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.5(Max)
  • Verpackungsbreite
    4(Max)
  • Verpackungslänge
    5(Max)
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Standard-Verpackungsname
    SO
  • Lieferantenverpackung
    SOIC N
  • Stiftanzahl
    8
  • Leitungsform
    Gull-wing

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione