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MOSFET

SI5435BDC-T1-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin Chip FET T/R

Vishay
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Hex Drain
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    P
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    4.3
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    45@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    16@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    16
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    2500
  • Temps de descente type (ns)
    20
  • Temps de montée type (ns)
    12
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    32
  • Délai type de mise en marche (ns)
    8
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.1(Max)
  • Largeur du paquet
    1.65
  • Longueur du paquet
    3.05
  • Carte électronique changée
    8
  • Conditionnement du fournisseur
    Chip FET
  • Décompte de broches
    8

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception