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Phototransistor

PT100MF0MP1

No Phototransistor Chip 910nm 2-Pin T/R

Sharp
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    Chip
  • Type de phototransistor
    Phototransistor
  • Type de forme d'objectif
    Domed
  • Couleur d'objectif
    Black
  • Nombre de canaux par puce
    1
  • Polarité
    NPN
  • Degrés d'angle à demi-intensité (°)
    30
  • Orientation de visualisation
    Top View
  • Crête de longueur d'onde (nm)
    910
  • Filtre de coupure
    Visible Cut-off
  • Temps de montée maximal (ns)
    5000
  • Temps de descente maximal (ns)
    6000
  • Courant collecteur maximal (mA)
    20
  • Courant d'obscurité maximal (nA)
    100
  • Tension maximale de collecteur émetteur (V)
    6
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    35
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.4
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    75
  • Technologie de fabrication
    NPN Transistor
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -30
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    85
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    2.2
  • Largeur du paquet
    1.5
  • Longueur du paquet
    3
  • Carte électronique changée
    2
  • Décompte de broches
    2

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception