MOSFET

CSD16340Q3

Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Texas Instruments

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  25

• Tension minimale de source barrière (V)

  10

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  1.1

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Courant de drain continu maximal (A)

  21

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  4.5@8V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  6.5@4.5V

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  1.2

• Barrière type à la source de la charge (nC)

  2.1

• Charge de récupération inverse type (nC)

  14.5

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1050@12.5V

• Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)

  53@12.5V

• Tension seuil de barrière minimale (V)

  0.6

• Capacitance type de sortie (pF)

  730

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  3000

• Temps de descente type (ns)

  5.2

• Temps de montée type (ns)

  16.1

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  13.8

• Délai type de mise en marche (ns)

  4.8

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  6.1@2.5V|4.3@4.5V|3.8@8V

• Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W)

  3

• Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)

  115

• Tension type directe de diode (V)

  0.8

• Tension de plateau de barrière type (V)

  2

• Temps inverse de recouvrement type (ns)

  20

• Tension maximale directe de diode (V)

  1

• Tension seuil de barrière type (V)

  0.85

• Résistance de barrière maximale (Ohm)

  3

• Tension maximale de source barrière positive (V)

  10

• Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)

  21

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1.05(Max)

• Largeur du paquet

  3.3

• Longueur du paquet

  3.3

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SON

• Conditionnement du fournisseur

  VSON-CLIP EP

• Décompte de broches

  8

• Forme de sonde

  No Lead