Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
28
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
41@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
54@4.5V|106@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
106
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
4600@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5200
Typische Abfallzeit (ns)
100
Typische Anstiegszeit (ns)
20|160
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
100|110
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
42|15
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.07(Max)
Verpackungsbreite
5.89
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
PowerPAK SO EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead