Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.65
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
SiC
Konfiguration
Dual
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
1200
Max. Gate-Source-Spannung (V)
23
Operating Junction Temperature (°C)
-40 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
424(Typ)
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
5.2@15V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
844@15V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
25700@800V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1293000(Typ)
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
125
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Befestigung
Screw
Verpackungsbreite
60.44 mm
Verpackungslänge
106.4 mm
Leiterplatte geändert
7
Stiftanzahl
7