Especificaciones técnicas del producto
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
SiC
Configuration
Single Dual Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
1200
Tension minimale de source barrière (V)
19
Tension seuil de barrière maximale (V)
3.6
Operating Junction Temperature (°C)
-40 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
100
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
250
IDSS maximal (uA)
50
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
28.8@15V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
162@15V
Barrière type pour drainer la charge (nC)
50
Barrière type à la source de la charge (nC)
49
Charge de récupération inverse type (nC)
928
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
4818@1000V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
12@1000V
Tension seuil de barrière minimale (V)
1.8
Capacitance type de sortie (pF)
180
Dissipation de puissance maximale (mW)
469000
Temps de descente type (ns)
14
Temps de montée type (ns)
33
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
57
Délai type de mise en marche (ns)
29
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Emballage
Tube
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
200
Tension type directe de diode (V)
4.6
Temps inverse de recouvrement type (ns)
34
Tension seuil de barrière type (V)
2.5
Tension maximale de source barrière positive (V)
19
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
23.47
Largeur du paquet
5.02
Longueur du paquet
15.94
Carte électronique changée
4
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-247
Décompte de broches
4
Forme de sonde
Through Hole