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MOSFETs

NTMFS5113PLT1G

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 5-Pin SO-FL EP T/R

onsemi
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.21.00.95
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 175
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    10
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    14@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    45@4.5V|83@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    83
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    4400@25V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    3800
  • Typische Abfallzeit (ns)
    77
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    37
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    54
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    15
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    175
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.05(Max)
  • Verpackungsbreite
    5.9
  • Verpackungslänge
    4.9
  • Leiterplatte geändert
    5
  • Lieferantenverpackung
    SO-FL EP
  • Stiftanzahl
    5
  • Leitungsform
    No Lead

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen