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HF-MOSFETs

MRFE6VP5150NR1

Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R

NXP Semiconductors
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    LTB
  • HTS
    8541.29.00.75
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Konfiguration
    Dual Common Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    2
  • Betriebsweise
    CW|Pulsed RF
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    133
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    10
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    2.8
  • Max. Stehwellenverhältnis (VSWR)
    65
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    1000
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    10
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    96.7@50V
  • Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
    0.8@50V
  • Typische Ausgangskapazität bei Vds (pF)
    45.4@50V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    952000
  • Ausgabeleistung (W)
    179(Typ)
  • Typischer Leistungsgewinn (dB)
    26.1
  • Max. Frequenz (MHz)
    600
  • Mindestfrequenz (MHz)
    1.8
  • Typischer Drain-Wirkungsgrad (%)
    70.3
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    225
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    2.64(Max)
  • Verpackungsbreite
    9.07(Max)
  • Verpackungslänge
    17.58(Max)
  • Leiterplatte geändert
    5
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-270 W
  • Stiftanzahl
    5
  • Leitungsform
    Flat

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen