Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
25
Max. Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
21
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
4.5@8V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.5@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.2
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
2.1
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
14.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1050@12.5V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
53@12.5V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.6
Typische Ausgangskapazität (pF)
730
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
5.2
Typische Anstiegszeit (ns)
16.1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
13.8
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
4.8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
6.1@2.5V|4.3@4.5V|3.8@8V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
115
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2
Typische Sperrerholungszeit (ns)
20
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
0.85
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
10
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
21
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05(Max)
Verpackungsbreite
3.3
Verpackungslänge
3.3
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSON-CLIP EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead