Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
SiC
Konfiguration
Dual
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
1700
Max. Gate-Source-Spannung (V)
23
Operating Junction Temperature (°C)
-40 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
409(Typ)
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
5.8@15V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
996@15V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
31500@1000V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1630000(Typ)
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
125
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Befestigung
Screw
Verpackungsbreite
61.4
Verpackungslänge
106.4
Leiterplatte geändert
7
Stiftanzahl
7