C3M0120100J

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  SiC

• Konfiguration

  Single Hex Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  1000

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  19

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.5

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  22

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  250

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  100

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  155@15V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  18@15V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  414@600V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  83000

• Typische Abfallzeit (ns)

  6

• Typische Anstiegszeit (ns)

  8

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  14

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.57(Max)

• Verpackungsbreite

  9.13(Max)

• Verpackungslänge

  10.23(Max)

• Leiterplatte geändert

  7

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  8