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HF-MOSFETs

BLS8G2731L-400PU

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-539A Bulk

Ampleon
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    3A001.b.3.a.2
  • Part Status
    Obsolete
  • HTS
    8541.29.00.75
  • Automotive
    Unknown
  • PPAP
    Unknown
  • Konfiguration
    Dual Common Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    2
  • Betriebsweise
    Pulsed RF
  • Prozesstechnologie
    0.14um
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    65
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    11
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    2.3
  • Max. Stehwellenverhältnis (VSWR)
    10
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    280
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    2.8
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    58(Typ)@3.75V
  • Typischer Vorwärtsgegenwirkleitwert (S)
    21
  • Ausgabeleistung (W)
    540(Typ)
  • Typischer Leistungsgewinn (dB)
    13
  • Max. Frequenz (MHz)
    3100
  • Mindestfrequenz (MHz)
    2700
  • Typische Abfallzeit (ns)
    5
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    5
  • Typischer Drain-Wirkungsgrad (%)
    47
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -65
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    225
  • Verpackung
    Bulk
  • Befestigung
    Screw
  • Verpackungshöhe
    4.7(Max)
  • Verpackungsbreite
    10.29(Max)
  • Verpackungslänge
    41.28(Max)
  • Leiterplatte geändert
    5
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-539A
  • Stiftanzahl
    5

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen