Produktspezifikationen
RoHS EU
Not Compliant
ECCN (USA)
3A001a.2.c.
Part Status
NRND
HTS
8542.39.00.40
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Konvertertyp
General Purpose
Prozesstechnologie
BiMOS II
Architektur
R-2R
Auflösung
12bit
Konversionsrate
125ksps
Anzahl von D/A-Wandlerkanälen
4
Anzahl der Ausgänge pro Chip
4
Max. Einschwingzeit (us)
10
Digitalschnittstellenart
Parallel
Ausgangsart
Voltage
Ausgangspolarität
Bipolar
Spannungsreferenz
External
Max. Doppelversorgungsspannung (V)
±16.5
Spannungsversorgungsart
Dual
Max. Leistungsaufnahme (mW)
525
Integraler Nichtlinearitätsfehler
±1LSB
Vollausschlagfehler
±7LSB
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
125
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungsbreite
15.49(Max)
Verpackungslänge
37.85(Max)
Leiterplatte geändert
28
Standard-Verpackungsname
DIP
Lieferantenverpackung
SBCDIP
Stiftanzahl
28